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2024年12月2日，美國商務部工業與安全局（Bureau of Industry and Security, BIS）公布《臨時最終規則:增加外國直接產品規則，對先進計算和半導體制造物項管控的優化》（《臨時最終規則》），對美國《出口管理條例》（Export Administration Regulations, EAR）進行了修訂。本次《臨時最終規則》的修訂通過新增對24種半導體制造設備和3種用于開發或生產半導體的軟件工具的管制、對高帶寬內存（high bandwidth memory, HBM）的管控、新增兩項外國直接產品規則，以及增列140個實體至實體清單等，旨在減緩中國先進人工智能的發展和試圖遏制中國對本土半導體生態系統的發展。本次《臨時最終規則》的多數規則（包括對于新的外國直接產品規則的合規要求）于12月31日生效。關于實體清單的增列、紅旗行為更新以及有關軟件密鑰的管控措施于12月2日生效。

本次《臨時最終規則》預計將成為拜登政府為限制向中國銷售先進芯片和芯片設備而采取的最后重大舉措之一，是即2022年10月開始大幅修改針對中國的先進芯片出口管制規則，并于2023年10月和2024年4月更新后的又一次較為系統的、有針對性的遏制中國先進制程半導體生產能力的管控。美國商務部部長雷蒙多表示，拜登政府領導下的商務部“在使用出口管制措施方面是最積極的”，她相信他們為即將上任的特朗普政府留下了一份藍圖，供其制定自己的半導體相關國家安全控制方法。“我們讓BIS比以往任何時候都更強大、更具戰略性、更有效，”新規則“為下一屆政府奠定了基礎，以繼續保持維護美國技術安全和領導地位所需的重要助力”。

相較于第一屆特朗普政府主要為交易型、以事件驅動、以公司為中心的出口管制措施的應用，如針對華為和中芯國際等實體的實體清單增列，拜登政府制定了“小院高墻”戰略，旨在精確定位和限制中國獲取對中國軍事和監視能力最有利的特定技術。即將上任的特朗普政府在第二任期可能會選擇比拜登政府更為靈活的方式實施出口管制措施，但是也不排除會進一步擴大拜登政府的“小院高墻”這一戰略，并繼續試圖說服盟友和合作伙伴也采取同樣措施。

中國政府也針對本次美國出口管制措施域外效力的進一步擴大迅速作出反擊。2024年12月3日中國商務部發布2024年第46號《關于加強相關兩用物項對美國出口管制的公告》（《公告》）。本次的措施加強了2023年8月采取的礦產出口貿易管制措施，并且僅適用于美國市場。

小文針對本次《臨時最終規則》的重大修改以及中國政府的反制措施，作如下淺析。

一、新增對HBM的出口管制

由于HBM作為一種高級存儲器，對大規模人工智能訓練和推理起到關鍵作用，并且也是先進計算集成電路的關鍵組成部分，因此BIS在本次《臨時最終規則》中修訂《商業管制清單》（Commercial Control List, CCL）：在ECCN3A090.c中，針對具有特定內存帶寬密度（memory bandwidth density）的HBM堆棧（stacks）新增基于“區域穩定”理由適用的許可證管控措施，即，出口到EAR第740部分1號補編D:5國家組（包括中國）與澳門適用許可證措施。另外，HBM也適用新的“半導體生產設備（Semiconductor Manufacturing Equipment, SME）”外國直接產品規則，即，非美國生產的列入ECCN 3A090.c的HBM如符合EAR§734.9(h)高級計算外國直接產品（Foreign Direct Product）規則規定的范圍，則也將受到EAR的許可證要求。

根據新增的技術注釋的定義，“內存帶寬密度”是指，封裝（package）或堆棧的內存帶寬（以GB/秒為單位）除以封裝或堆棧的面積（以平方毫米為單位）。當堆棧包含在封裝中時，應使用封裝設備的內存帶寬和面積對物項進行計算?！杜R時最終規則》設定的管控閾值為內存帶寬密度每秒每平方毫米2GB（GB/s/mm^2），參數大于該閾值的HBM將受到管控。BIS指出，目前所有正在生產的HBM堆棧均超過這一閾值。并且，HBM還包括動態隨機存取存儲器集成電路（dynamic random access memory integrated circuits），無論其是否符合HBM的JEDEC標準（聯合電子設備工程委員會，Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC，JEDEC制定并發布HBM內存標準）。只要動態隨機存取存儲器集成電路的參數超過上述閾值，就適用ECCN3A090.c的管控。

ECCN3A090.c主要針對作為獨立商品出口、再出口或進行國內轉移的HBM，并且 ECCN3A090.c包括永久固定在“被設計為控制接口并集成了物理層（physical layer, PHY）功能的邏輯集成電路”上的HBM。但是，ECCN3A090.c的管控范圍不包括共同封裝（co-packaged）的且主要功能為具有處理（processing）性能的共同封裝集成電路，即使共同封裝的集成電路同時具備HBM和邏輯功能。如果HBM被集成到集成電路或更高級別的商品（例如計算機或電子組件）中，則ECCN3A090.a、.b、4A090.a或.b或相應的.z管制可能會對含有HBM的物項實施管制。

另外，對于ECCN3A090.c被納入另一種商品的情形，還有一項特殊規定：如果該商品不屬于一般命令第4號(d)(2)(i)段規定的產品范圍（除本次新增的ECCN3A090.c之外，原產品范圍包括ECCN3A001.z、3A090.a、3A090.b等），則該商品將被一般命令第4號授權在任何目的地使用；如果該商品屬于(d)(2)(i)段規定的產品范圍，則這些物品的最終的使用，需要發生在國家組D:1、D:4或D:5（不包括國家組A:5或A:6）中所列目的地以外的目的地，并且由總部或其最終母公司總部不在澳門或國家組D:5中所列目的地的實體使用，才能適用授權。上述ECCN3A090.c相關的一般命令授權有效期截止2026年12月31日。

《臨時最終規則》在EAR§740.25中新增許可證例外HBM。但該許可證例外僅適用于總部設在美國或國家組A:5所列目的地的出口商、再出口商和轉移商，并且其最終母公司的總部不能在澳門或國家組D:5所列目的地。同時，為滿足新增的許可證例外HBM，除了符合上述前提條件，出口、再出口和（國內）轉移還面臨如下限制：（a）HBM的內存帶寬密度需小于3.3GB/s/mm^2；（b）出口、再出口或轉移至澳門或國家組D:5所列目的地的3A090.c物項，必須由共同封裝的設計者直接購買；（c）為防止轉用，3A090.c物項必須被直接運送到封裝站點（packaging sites），對于總部在不同國家和地區的封裝站點，可能適用對物項流轉、文件保存和技術閾值的進一步要求。

二、新增兩項外國直接產品規則

（1）腳注5實體清單實體的外國直接產品規則

《臨時最終規則》對實體清單上被指定為腳注5的實體實施一項新的外國直接產品規則。腳注5實體被增列的原因主要涉及國家安全或外交政策問題，例如通過生產先進節點集成電路參與支持中國的軍事現代化。具體而言，如果出口商、再出口商或轉移商“知悉”（包括有理由知悉）：（a）這些外國生產的有關物項將被納入由腳注5實體生產、購買或訂購的任何“部件”、“組件”或“設備”中，或（b）任何腳注5實體是涉及這些外國生產的商品的交易的一方，則需要獲得許可證。

該項外國直接產品規則所管控的商品與半導體生產和相關活動有關。所適用的外國直接產品的美國原產技術與軟件的范圍為：（a）以下技術或軟件的直接產品：ECCN3D001（針對3B商品）、3D901、3D991（針對3B991和3B992）、3D993、3D994、3E001（針對3B商品）、3E901（針對3B903）、3E991（針對3B991和3B992）、3E993或3E994；（b）由位于美國境外的完整設備或設備的“主要部件”生產，且該完整設備或“主要部件”無論是在美國還是在外國制造，其本身屬于以下美國原產技術或軟件的直接產品：ECCN3D001（針對3B商品）、3D901、3D991（針對3B991和3B992）、3D992、3D993、3D994、3E001（針對3B商品）、3E901（針對3B903）、3E991（針對3B991和3B992）、3E992、3E993或3E994；（c）包含由位于美國境外的完整設備或設備的“主要部件”生產的直接產品，完整設備或設備的“主要部件”的范圍同（b）項。且，外國生產的直接產品為如下物項：3B001(3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, g, h, k to n, p.2, p.4, r除外)、3B002(3B002.c除外)、3B903、3B991(3B991.b.2.a至3B991.b.2.b除外)、3B992、3B993或3B994。

（2）半導體制造設備（SME）外國直接產品規則

《臨時最終規則》規定，如果“知悉”涉及國家安全的某些外國生產的商品將運往澳門或D:5國家組所列目的地，則可能適用SME外國直接產品規則。外國生產的商品屬于以下其中一項：（a）為3D992或3E992規定的技術或軟件的直接產品；（b）外國生產的商品由位于美國境外的完整設備或設備的“主要部件”生產，且該完整設備或“主要部件”無論是在美國還是在外國制造，其本身屬于以下美國原產技術或軟件的直接產品：ECCN3D001（針對3B商品）、3D901、3D991（針對3B991和3B992）、3D992、3D993、3D994、3E001（針對3B商品）、3E901（針對3B903）、3E991（針對3B991或3B992）、3E992、3E993或3E994；（c）包含由位于美國境外的完整設備或設備的“主要部件”生產的直接產品，完整設備或設備的“主要部件”的范圍同（b）項。且，外國生產的直接產品為如下物項：ECCN3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c的外國生產的商品。

三、《商業管控清單》的修訂

除上述新增的ECCN3A090.c對HBM的管控之外，《臨時最終規則》對CCL作出了其他多項修訂，共新增了6項新的ECCN編碼。有關修訂主要對以下物項實施新的管制：生產先進節點集成電路所需的半導體制造設備，包括某些蝕刻、沉積、光刻、離子注入、退火、計量和檢測以及清潔工具；以及開發或生產先進節點集成電路的軟件工具，包括某些可提高先進機器生產率或允許較低端的機器生產先進芯片的軟件。具體而言，該等新增的ECCN編碼所管控的物項，目前基于反恐（AT）、區域穩定（RS）或國家安全（NS）原因進行管制，根據不同管制原因和具體ECCN，出口、再出口或（國內）轉移至EAR第738部分1號補編反恐表1（AT Column 1）所列目的地、澳門或D:5國家組目的地、或某些情況下出口相關物項至全世界，適用出口管制的許可證要求。

具體修訂內容如下表所示。

美國針對芯片制造設備的出口管制規則修訂：為即將上任的特朗普政府提供保護美國科技安全與領導力的“助力”-1.jpg

四、新增紅旗警示

紅旗（Red Flags）行為，是指出口目的地可能是不當最終用途、最終用戶或目的地的交易。《臨時最終規則》在EAR第732部分3號補編“BIS了解您的客戶（know your customer）指南及紅旗”一章新增8個紅旗行為，以協助各方及時識別風險。目前，BIS一共列舉了27個紅旗行為，包括本次新增的8個紅旗行為，共13個紅旗行為針對中國出口先進芯片以及有關設備的管制。本次新增的紅旗行為如下：（1）非先進制造工廠訂購專為先進節點集成電路生產而設計的設備（例如，EAR§742.4(a)(4)所列ECCN），而以該工廠技術水平，并不需要這些設備；（2）出口商、再出口商或轉移商收到的訂單的最終所有者或用戶不確定；（3）出口商、再出口商或轉移商收到與某項物項相關的訂單或請求，該物項需要相關許可證，而該物項的許可證歷史存在不確定性（例如許可證審查政策為推定拒絕）；（4）出口商、再出口商或轉移商收到請求，要求對某件在出口、再出口或轉移后被第三方改裝的物項提供服務、安裝、升級或其他維護，而相關改裝情況使該物項可被用于更高級的最終用途，且在相關目的地使用通常需要申請許可；（5）出口商、再出口商或轉移商收到新客戶的商品或服務請求，該新客戶的高級管理層或技術領導為實體清單實體；（6）出口商、再出口商或轉移商收到新客戶提出的請求，要求提供為現有或以前的客戶設計或修改的商品或服務，而該客戶現已被列入實體名單；（7）在分析腳注5和SME外國直接產品規則的范圍時，如果外國生產的物項符合EAR§734.9(e)(3)(i)或§734.9(k)(1)中的相關3B類ECCN中的描述，并且包含至少一個集成電路，則可能表明該外國生產的物項符合適用外國直接產品規則的產品范圍；以及，（8）最終用戶是與生產先進節點集成電路的設施物理連接（例如通過橋梁、隧道與另一棟建筑物相連）的設施。

五、新增實體清單實體

在發布本次《臨時最終規則》對EAR進行修訂的同時，BIS同步于實體名單中增加了140個實體，其中136個為中國企業。本次BIS增列的實體中，大多數中國實體因協助開發或生產用于軍事最終用途的集成電路被增列，其獲得所有受EAR管轄的物項都必須取得許可證，并適用推定拒絕的許可證申請審查政策。對于某些涉及支持在實體清單所列實體的設施生產先進節點集成電路、開發用于軍事最終用途的先進節點集成電路等活動的實體，BIS將其指定為腳注5實體，它們將額外適用如上所述腳注5外國直接產品規則的有關限制。具體而言，本次被增列的實體涉及：

● 三家涉及參與投資半導體領域的投資機構：BIS將其增列實體清單的理由為，這三家投資機構參與協助中國政府收購具有敏感半導體制造能力的實體，并計劃將被收購實體遷移至中國，以協助實現半導體制造生態系統的本土化。而這些被收購的實體對美國及其盟友的國防工業基礎至關重要。

● 七家微電子公司、集成電路設備公司以及軟件和信息技術公司：與先進節點制造設施共同開發光刻技術以生產用于軍事最終用途的芯片。

● 四家半導體測試設備公司：有可能將原產于美國的物項轉移給實體清單上的各方，包括在中國軍事現代化中發揮重要作用的實體。

對于以下實體，BIS將其指定為腳注5實體：

● 一家半導體制造公司：有很大風險將參與先進節點集成電路開發或生產。

● 十家集成電路、半導體科技公司、設備制造商：可能協助華為實現其自主生產先進節點集成電路的目標，以支持其軍事現代化。

● 兩家集成電路技術公司：已經獲取或試圖獲取美國的工具或部件，可能支持在實體名單實體的設施生產先進節點集成電路。

● 兩家集成電路創新、技術型機構：協助開發或生產軍事用途的集成電路，并參與開發或生產先進節點集成電路的活動。

● 一家微電子研究所：支持中國先進節點集成電路和軍事現代化努力，包括為軍事最終用途開發或生產先進節點集成電路以及與實體名單上的各方合作。

另外，BIS還對此前已經被增列實體清單的7家集成電路制造相關的公司新增腳注5，以進一步限制其獲取支持先進節點集成電路生產的相關物項。

六、中國政府的反制措施

2024年12月3日，在美國商務部發布《臨時最終規則》修訂EAR以加強半導體相關管制一天后，中國商務部迅速作出反擊，發布2024年第46號《公告》。《公告》宣布：（1）禁止對美國軍事用戶或軍事用途出口兩用物項；（2）原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關兩用物項對美國出口；（3）對石墨兩用物項對美國出口，實施更嚴格的最終用戶和最終用途審查。

本次的措施加強了2023年8月采取的礦產出口貿易管制措施，并且僅適用于美國市場。2023年7月時，中國商務部曾發布海關總署公告2023年第23號《關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告》，對鎵、鍺相關物項實施出口管制，未經許可不予出口。本次中國商務部所限制和禁止出口的上述物項具有包括軍事用途在內的廣泛用途。

中國是全球最大的鎵和鍺來源國，鎵和鍺可用于半導體和其他電子產品，并且鍺還可用于紅外技術、光纖電纜和太陽能電池等領域。銻可用于制造子彈和其他武器，而石墨是電動汽車電池的重要構成材料。根據美國地質調查局于2024年11月發布的報告，2023年中國對鎵、鍺相關物項實施的限制措施導致的進口量減少，對美國市場所造成的經濟損失主要集中于半導體設備制造業，約占凈損失的40%以上。如果全面禁止出口，鎵價格可能會上漲150%以上，鍺價格可能會上漲26%。根據路透社12月4日的最新報道，對于中國商務部的行動，白宮發言人表示，美國正在評估新的限制措施，并將采取“必要措施”予以應對，但沒有透露進一步的細節。

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YUAN, Shuaiqi

Export Control and Sanctions，Customs Practice

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